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碳化硅在功率器件领域的应用
点击次数:   更新时间:18/05/18 17:12:05     来源:www.thgcxwf.com关闭分    享:
    碳化硅的带隙是硅(宽带隙)的2.8倍,达到3.09电子伏特,其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,达到3.2MV/cm,导热系数是硅的3.3倍,4W/cm。肖特基二极管和MOS场EF。碳化硅制成的FECT晶体管的厚度比同一耐压硅器件大一个数量级,硅的杂质浓度可以达到2个数量级,因此碳化硅器件的单位面积阻抗仅为THA的100。
    硅器件的漂移电阻几乎等于器件的总电阻,因此碳化硅器件的发热值很低,这有助于降低传导损耗和开关损耗,其工作频率通常比硅高10倍。此外,碳化硅半导体具有固有的强抗辐射性。
    近年来,采用碳化硅材料制备的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)可以通过使用小型注射技术将普通硅器件中的IGBT降低到1/10,并结合碳化硅器件的小热值来实现其导热性。碳化硅器件的优良性能,碳化硅功率器件在400℃的高温下也能正常工作,通过小体积器件可以控制大电流,工作电压也更高。
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